氧化单晶,氧化单晶生产工艺原料配方配比技术

请记住资料编号：GY10001-32425 资料价格:198元

1、二元磁性氧化物单晶纳米片的制备方法

[简介]：本套资料属于磁性氧化物纳米材料及其制备技术领域，特别是一种二元磁性氧化物单晶纳米片的制备方法。本套资料针对现有制备过渡金属磁性氧化物所存在的需要较高的烧结温度、操作复杂、原料费用昂贵的不足之处，提供一种低成本、易...

2、二元磁性氧化物单晶纳米片的制备方法

[简介]：本套资料具有钙钛矿结构的透明导电氧化物单晶膜及制备方法，特征是采用激光脉冲沉积镀膜，在单晶基底钛酸锶SrTiO3STO001上外延生长得到具有立方钙钛矿单晶结构的镧锶锡氧单晶薄膜；薄膜中各元素按化学式LaxSr1-xSnO30...

3、一种具有钙钛矿结构的透明导电氧化物单晶膜及制备方法

[简介]：本套资料涉及利用钙钛矿氧化物单晶材料制作快响应高灵敏度紫外光探测器，包括：由钙钛矿氧化物单晶材料制备的光传感器芯片，第一电极和第二电极设置在光传感器芯片的钙钛矿氧化物单晶材料表面上，并将其安装在一个金属外壳内...

4、用钙钛矿氧化物单晶材料制作的快响应高灵敏度紫外光探测器

[简介]：本套资料提供在制造Bi2O2Am-1BmO3m+1A＝Sr，Ba，Ca，Bi等，B＝Ti，Ta，Nb所示的这种含Bi作为构成元素的多元素氧化物单晶时，能以与制造方法无关地制造结晶性优异的氧化物单晶的方法。在基板上预先堆积助熔剂，其中助熔剂是以摩...

5、含有铋作为构成元素的多元素氧化物单晶的制造方法

[简介]：一种Ge衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法是将Ge片依次置于*和甲醇中分别超声，再在去离子水中超声，后在HF酸溶液中刻蚀，再在去离子水中超声，完成Ge片的表面预处理；将预处理后的Ge001片置入生长室，升温，去除Ge衬底表面...

6、一种锗衬底上制备单晶氧化物薄膜的方法

[简介]：一种低成本、高纯度的单晶制造装置及其制造方法，将培育槽17的拉晶轴21与设在盖体19上的管状开口部24之间的间隙设定为1mm～3mm。该间隙与炉外的大气相通。通过调整向炉内供给的惰性气体流量，以确保炉内的氧浓度处于0.1％～1....

7、氧化物单晶的制造装置及制造方法

[简介]：本套资料涉及采用高温助熔剂生长技术制备块状或薄膜的掺杂有正三价镧系元素离子的钪、钇或者稀土金属的立方倍半氧化物单晶（空间群No.206Ia-3）的方法，以及根据该方法获得的所述单晶的各种应用，特别是在光学领域中的应用。...

8、单晶立方倍半氧化物的制备方法及其用途

[简介]：一种声表面波器件包括由镧镓硅氧化物单晶制成的压电基片和至少一个叉指式换能器，其中叉指式换能器包括一对相互交错，并和压电基片接触的梳形电极。压电基片具有约为（０°，１３０°到１７０°２３°到３０°）的欧拉角，由此声表面波器件具...

9、具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件

[简介]：一种具有Ca3Ga2Ge4O14晶体结构并含有Ge作为组成元素的大尺寸氧化物晶体及其制造方法。该氧化物单晶可通过制备含Ge的原料熔化物和在单晶生长气氛中从所述原料熔化物生长所述氧化物单晶的制造方法制得，其特征在于所述原料...

10、氧化物单晶及其制备方法

[简介]：一种由剥离纳米片制备暴露特定晶面过渡金属氧化物纳米单晶的方法，包括下述步骤：第一步：按过渡金属层状化合物重量与有机胺类剥离剂水溶液体积之比为2～10g∶1L的比例，将过渡金属层状化合物置于0.01～0.3molL浓度的有...

11、由剥离纳米片制备暴露特定晶面过渡金属氧化物纳米单晶的方法

[简介]：一种用液相外延法制造氧化物单晶膜的装置，它包括一个外侧有高频加热装置的炉管，一个装在炉管内的两端开口的导电圆筒，和一个与圆筒元件同轴放置的由导电材料制成的坩埚。

12、用液相外延法制造氧化物单晶膜的装置

[简介]：本套资料主要内容为一种基于三氧化钨单晶颗粒氮氧化物传感器元件的制备方法，步骤为：1配制六氯化钨溶液；2调节六氯化钨的摩尔浓度为0.003-0.014M；3合成准定向的钨氧化物纳米线；4制备纳米线基敏感材料浆料；5制备三氧...

13、一种基于WO3单晶颗粒的氮氧化物传感器元件的制备方法

[简介]：本套资料主要内容为一种低维电荷密度波导体钼氧化物青铜系列单晶样品的制备方法，将碱金属碳酸盐或Tl2CO3与MoO3按1∶3.1-6.15的摩尔比例混合，研磨均匀后，加热使混合物熔化，保温2-3小时，然后将炉温降至混合物熔点以上5-10℃，并保...

14、一种低维钼氧化物青铜单晶的制备方法

[简介]：本套资料主要内容为一种单晶钙钛矿型氧化物的制备方法及应用，该制备方法以NaOH为矿化剂，将NaOH溶液缓慢滴加至由MnO4-、Mn2+、La3+和Sr2+组成的金属盐溶液中，持续机械搅拌；将上述混合液先放至超声波中超声分散，然后放至反应釜中...

15、一种单晶钙钛矿型氧化物的制备方法及应用

[简介]：本套资料主要内容为锂离子电池用单晶锂锰氧化物及其制备方法。其单晶锂锰氧化物是化学式为LiMn2-x-y-zLixM1yM2zO4的Li、M1、M2的至少三种元素掺杂的纯尖晶石型；其比表面积为0.2～0.6m2g；振实密度为1.5～2.5gcm3之间；式中的M1...

16、锂离子电池用单晶锂锰氧化物及其制备方法

[简介]：本套资料涉及一种硅氧化物除去装置，用以除去从单晶硅制造装置排出的惰性气体中的硅氧化物，其特征在于，至少具备接触器具means及中和器具，所述接触器具使从上述单晶硅制造装置排出的惰性气体接触强碱溶液，所述中和器具中...

17、硅氧化物除去装置及单晶硅制造装置的惰性气体回收设备

[简介]：单晶类钙钛矿型氧化物La2CuO4纳微米棒的制备方法属于纳米催化剂制备领域。在水热的条件下，通过选择*镧或镧的氧化物为镧源、控制氢*为碱源的用量、水热温度在180℃-260℃及时间24h-48h、灼烧温度850℃及时间2h-6h，可得...

18、单晶类钙钛矿型氧化物La2CuO4纳微米棒的制备方法

[简介]：在例如硅晶片的单晶衬底72上生长高品质单晶金属氧化物层74。在足够低以防止硅衬底的有害的并同时存在的氧化的温度下，在硅衬底上生长单晶金属氧化物。在生长一层1-3单原子层的单晶氧化物之后，停止生长并且通过较高温...

19、其上具有半导体器件的单晶氧化物的生长方法

[简介]：用作钙钛矿压电体以及电致伸缩材料的电极材料和作为成膜衬底的氧化物导体材料，其特征在于：在Si衬底上的单晶氧化物导体中，Si原子间距离x和单晶氧化物导体的原子间距离y满足1式：其中n，m是任意的正整数，并且1≤n≤5，1≤m≤...

20、含单晶氧化物导体的叠层体、激励器和喷墨头及制造方法

[简介]：单晶钙钛矿型复合氧化物La1-xSrxMnO3纳米棒和微米块制备方法属于催化领域。传统的制备方法需高温灼烧，比表面积小。本套资料无需高温灼烧，在水热的条件下，通过超声波分散处理，控制KOH用量、水热温度和水热时间，直接得到纳米...

21、单晶钙钛矿型复合氧化物La0.6Sr0.4CoO3纳米线和纳米棒制备方法

22、单晶钙钛矿型复合氧化物La0.6Sr0.4CoO3纳米线和纳米棒制备方法

23、复合氧化物单晶的制造方法

24、压电氧化物单晶体的电荷抑制方法及设备

25、从单晶体表面清除非晶体氧化物

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